DDR3內存采用100nm以下的生產工藝,并將工作電壓從1.8V降至1.5V,可以減少30%的功耗,I/O緩沖的電壓也更低,驅動阻抗也降低了。在工作頻率方面,DDR3內存最低將會從800MHz起跳,目前最高能夠達到1600Mhz的速度。由于目前最快的DDR2內存已經達到800Mhz/1066Mhz的速度,因而在去年的Computex大展上有多個內存廠商展出了1333Mhz的DDR3內存模組。在性能方面,DDR3內存將擁有比DDR2內存好很多的帶寬功耗比(Bandwidth per watt)。對比現有DDR2-800產品,DDR3-800、1067及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X,不但內存帶寬大幅提升,功耗表現也比較出色。此外,DDR3內存還采用點對點的拓樸架構,以減輕地址/命令與控制總線的負擔。DDR3還增加了一些新特性,增加了異步重置(Reset)與ZQ校準功能,用ZQ阻值來校準數據。