Samsung內(nèi)存nbsp;具體含義解釋：nbsp;例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0nbsp;主要含義：nbsp;第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。nbsp;第2位——芯片類型4，代表DRAM。nbsp;第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。nbsp;第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容nbsp;量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。nbsp;第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。nbsp;第11位——連線“-”。nbsp;第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。nbsp;知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNGK4H280838Bnbsp;-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存nbsp;條的容量是128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。nbsp;注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECCnbsp;內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)nbsp;據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判nbsp;定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。nbsp;nbsp;Hynix(Hyundai)現(xiàn)代nbsp;nbsp;·“8”是內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)，代表改內(nèi)存由8顆芯片構(gòu)成。(4=4顆芯片；8=8顆芯片；16=16顆芯片；32=32顆芯片)·“2”指內(nèi)存的bank(儲蓄位)。(1=2nbsp;bank；2=4nbsp;bank；3=8nbsp;bank)·“2”代表接口類型為SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)·“B”是內(nèi)核代號為第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內(nèi)存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。·封裝類型用“T”表示，即TSOP封裝。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)·封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix；K=Mamp;T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述內(nèi)存為空白，代表是普通封裝堆棧。·封裝原料，空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素。該內(nèi)存為普通封裝材料。·“D43”表示內(nèi)存的速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)·工作溫度，一般被省略。I=工業(yè)常溫(-40～85度)；E=擴展溫度(-25～85度)現(xiàn)代內(nèi)存的含義：nbsp;HY5DV641622AT-36nbsp;HYXXXXXXXXXXXXXXXXnbsp;123456789101112nbsp;1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品nbsp;2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；nbsp;3、處理工藝及工作電壓：(空白=5V；V：VDD=3.3Vnbsp;amp;nbsp;VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5Vnbsp;amp;nbsp;VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5Vnbsp;amp;nbsp;VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8Vnbsp;amp;nbsp;VDDQ=1.8V)4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64Mnbsp;4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64Mnbsp;2K刷新；28：128Mnbsp;4K刷

2 看內(nèi)存顆粒大小其實挺有意思的拿實物來說常見的有幾種情況比如4Gb的小芯片特別迷你基本只在低容量條上見到再比如32Gb的大顆粒就非常明顯一眼就能看出比小的好幾倍還有典型的像海力士H9HCnnnCPMDDR5這種新一代顆粒明顯比老款大一圈當(dāng)然具體還要結(jié)合模組設(shè)計有時候散熱片會影響判斷建議多摸摸實物感受下

1 我來給你簡單說下啊內(nèi)存顆粒大小其實看外觀就能有個大概印象一般來說8GB的單顆顆粒比較小而16GB的會稍大一些典型例子像三星B-die顆粒體積中等偏小適合緊湊設(shè)計金士頓Fury系列顆粒稍大一些但散熱較好美光顆粒則相對較大而且邊緣處理得比較圓潤不同品牌確實存在差異不過現(xiàn)在工藝進步很多尺寸差異也沒以前那么明顯了記得多對比實物圖

3 其實內(nèi)存顆粒大小主要取決于制程技術(shù)和單顆容量一般8Gb或16Gb的顆粒體積較小比如鎂光D9PQ這種就屬于小巧型而64Gb的大顆粒肯定要占據(jù)更多空間像三星最新的K4EBG0AFBM-BCTD顆粒就比較大能直觀看到區(qū)別另外 Kingston FCRD4這種游戲條用的顆粒也偏大一點但勝在性能強所以看顆粒大小還是要多參考具體型號和實際應(yīng)用場合別光靠猜