出于兼容性的考慮，DDR2標(biāo)準(zhǔn)在制定之初似乎顯得有些縮手縮腳，這也直接導(dǎo)致其各方面表現(xiàn)比起DDR沒有長足進(jìn)步。新一代的DDR3采用了ODT（核心整合終結(jié)器）技術(shù)以及用于優(yōu)化性能的EMRS技術(shù)，同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面，DDR3表現(xiàn)出很強(qiáng)的獨(dú)立性，甚至敢于徹底拋棄TSOPII與mBGA封裝形式，采用更為先進(jìn)的FBGA封裝（如圖10）。DDR III內(nèi)存用了0.08微米制造工藝制造，將工作在1.5V的電壓下。
從長遠(yuǎn)趨勢來看，擁有單芯片位寬以及頻率和功耗優(yōu)勢的DDR3是令人鼓舞的，不過普及之路還相當(dāng)遙遠(yuǎn)。DDR3內(nèi)存在2007年上市，芯片組以及業(yè)界發(fā)展具體形勢不好預(yù)測，DDRIII的規(guī)格也可能在不斷地演變，但是一個不變的真理，那就是DDR2一樣也會被更新一代的內(nèi)存所取代，至于這個取代過程有多久，誰也無法準(zhǔn)確地預(yù)測出來。
從長遠(yuǎn)趨勢來看，擁有單芯片位寬以及頻率和功耗優(yōu)勢的DDR3是令人鼓舞的，不過普及之路還相當(dāng)遙遠(yuǎn)。DDR3內(nèi)存在2007年上市，芯片組以及業(yè)界發(fā)展具體形勢不好預(yù)測，DDRIII的規(guī)格也可能在不斷地演變，但是一個不變的真理，那就是DDR2一樣也會被更新一代的內(nèi)存所取代，至于這個取代過程有多久，誰也無法準(zhǔn)確地預(yù)測出來。